2SK447 Todos los transistores

 

2SK447 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK447
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: 2-21F1B
 

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2SK447 Datasheet (PDF)

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2SK447

 ..2. Size:284K  inchange semiconductor
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2SK447

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK447FEATURESDrain Current : I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.24(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

 9.1. Size:92K  sanyo
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2SK447

Ordering number:EN1420AN-Channel Junction Silicon FET2SK444Video Camera ApplicationsFeatures Package Dimensions Large yfs.unit:mm Small Ciss.2034A Ultralow noise figure.[2SK444] High frequency, low noise amplifier.2.24.00.40.50.40.41 : Source1 2 31.3 1.32 : Gate3 : DrainSANYO : SPA3.03.8nomSpecificationsAbsolute Maximum Rat

 9.2. Size:95K  sanyo
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2SK447

Ordering number:EN1419BN-Channel Junction Silicon FET2SK443Video Camera First-Stage ApplicationsFeatures Package Dimensions Large yfs.unit:mm Small Crss.2050A Ultralow noise figure.[2SK443] Ultrasmall-sized package permitting 2SK443-appliedsets to be small-sized. 0.40.1630 to 0.11 0.95 20.951.92.91 : Source2 : Drain3 : GateSANYO :

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History: SI7682DP | GP2M002A060XG

 

 
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