2SK447 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

2SK447 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK447

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: 2-21F1B

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2SK447 datasheet

..1. Size:42K no
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..2. Size:284K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK447 FEATURES Drain Current I = 15A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.24 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoi

9.1. Size:92K sanyo
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Ordering number EN1420A N-Channel Junction Silicon FET 2SK444 Video Camera Applications Features Package Dimensions Large yfs . unit mm Small Ciss. 2034A Ultralow noise figure. [2SK444] High frequency, low noise amplifier. 2.2 4.0 0.4 0.5 0.4 0.4 1 Source 1 2 3 1.3 1.3 2 Gate 3 Drain SANYO SPA 3.0 3.8nom Specifications Absolute Maximum Rat

9.2. Size:95K sanyo
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Ordering number EN1419B N-Channel Junction Silicon FET 2SK443 Video Camera First-Stage Applications Features Package Dimensions Large yfs . unit mm Small Crss. 2050A Ultralow noise figure. [2SK443] Ultrasmall-sized package permitting 2SK443-applied sets to be small-sized. 0.4 0.16 3 0 to 0.1 1 0.95 2 0.95 1.9 2.9 1 Source 2 Drain 3 Gate SANYO

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