2SK492 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SK492
   Código: XC_XD_XE
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 2 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 70 Ohm
Paquete / Cubierta: TO236 SC59

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK492

2SK492 Datasheet (PDF)

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ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATIONISAHAYA ELECTRONICS CORPORATIONISAHAYA ELECTRONICS CORPORATIONhttp://www.idc-com.co.jp6-41, TSUKUBA, ISAHAYA, NAGASAKI, 854-0065, JAPANKeep safety in your circuit designs !Isahaya Electronics Corporation puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable, but there is always the possibility that trouble

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2SK494Silicon N-Channel Junction FETApplicationLow frequency / High frequency amplifierOutlineSPAK1. Drain122. Gate33. Source2SK494Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to source voltage VDS 22 VGate to source voltage VGSO 22 VDrain current ID 100 mAGate current IG 10 mAChannel power dissipation Pch 300 mWChannel temperatu

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: