AP4085W Todos los transistores

 

AP4085W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4085W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 134 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP4085W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  ape
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AP4085W

AP4085WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.43 Fast Switching Characteristic ID 16AGSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowon-resistan

 8.1. Size:1969K  1
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AP4085W

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AP4085W

AP4085IRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.43 Fast Switching Characteristic ID 16AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowGon-resistanc

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History: SLF10N65A | FMH47N60S1 | WPM4801 | WMK120N04TS | UT20N03 | S68N08ZRN | FDMS3660AS

 

 
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