AP4085W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4085W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 134 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для AP4085W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4085W даташит

 ..1. Size:174K  ape
 ap4085w.pdf pdf_icon

AP4085W

AP4085W RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.43 Fast Switching Characteristic ID 16A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistan

 8.1. Size:1969K  1
 ap4085g.pdf pdf_icon

AP4085W

 8.2. Size:121K  ape
 ap4085i.pdf pdf_icon

AP4085W

AP4085I RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.43 Fast Switching Characteristic ID 16A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low G on-resistanc

 8.3. Size:1969K  allpower
 ap4085g.pdf pdf_icon

AP4085W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4034AGYT-HF, AP4034ASGYT-HF, AP4034GH-HF, AP4034GM-HF, AP4034GMT-HF, AP4034GYT-HF, AP4036AGYT-HF, AP4085I, P60NF06, AP40N03GP, AP40N03GS, AP40P03GH, AP40P03GI-HF, AP40P03GJ, AP40P03GP, AP40T03GH, AP40T03GI