AP4501AGM-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP4501AGM-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7(5.3) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8(10) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028(0.05) Ohm
Encapsulados: SO8
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AP4501AGM-HF datasheet
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AP4501AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 28m D1 D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -30V S2 G1 S1 RDS(ON) 50m SO-8 Description ID -5.3A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the desi
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AP4501AGM RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance D1 RDS(ON) 28m D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 S2 P-CH BVDSS -30V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 50m Description ID -5.3A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best co
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AP4501AGM www.VBsemi.tw N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = 4.5 V 8e 0.032 at VG
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AP4501AGEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 20m D1 D1 Fast Switching Performance ID 8A G2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V S2 G1 S1 SO-8 RDS(ON) 60m Description ID -4.6A Advanced Power MOSFETs from APEC
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