Справочник MOSFET. AP4501AGM-HF

 

AP4501AGM-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP4501AGM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7(5.3) A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8.4 nC
   Время нарастания (tr): 8(10) ns
   Выходная емкость (Cd): 80 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028(0.05) Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для AP4501AGM-HF

 

 

AP4501AGM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  ape
 ap4501agm-hf.pdf

AP4501AGM-HF AP4501AGM-HF

AP4501AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 28mD1D1 Fast Switching Performance ID 7AG2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -30VS2G1S1RDS(ON) 50mSO-8Description ID -5.3AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the desi

 5.1. Size:118K  ape
 ap4501agm.pdf

AP4501AGM-HF AP4501AGM-HF

AP4501AGMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance D1 RDS(ON) 28mD1 Fast Switching Performance ID 7AG2S2 P-CH BVDSS -30VG1S1SO-8RDS(ON) 50mDescription ID -5.3AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best co

 5.2. Size:891K  cn vbsemi
 ap4501agm.pdf

AP4501AGM-HF AP4501AGM-HF

AP4501AGMwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VG

 6.1. Size:125K  ape
 ap4501agem-hf.pdf

AP4501AGM-HF AP4501AGM-HF

AP4501AGEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 20mD1D1 Fast Switching Performance ID 8AG2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VS2G1S1SO-8RDS(ON) 60mDescription ID -4.6AAdvanced Power MOSFETs from APEC

 6.2. Size:124K  ape
 ap4501agey-hf.pdf

AP4501AGM-HF AP4501AGM-HF

AP4501AGEY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 20mD1D1G2 Fast Switching Performance ID 6.5AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VG1S12928-8RDS(ON) 45mDescription ID -4.5AAP4501A series are from Advan

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top