AP4506GEH-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP4506GEH-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9(8) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8.3 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 18(16) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100(220) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024(0.036) Ohm
Paquete / Cubierta: TO252-4L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP4506GEH-HF
AP4506GEH-HF Datasheet (PDF)
ap4506geh-hf.pdf
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Liste
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