AP4506GEH-HF Todos los transistores

 

AP4506GEH-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4506GEH-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9(8) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18(16) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100(220) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024(0.036) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252-4L
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP4506GEH-HF Datasheet (PDF)

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AP4506GEH-HF

AP4506GEH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 24m Fast Switching Performance ID 9AS1G1S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -30VG2RDS(ON) 36mTO-252-4LDescription ID -8AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thede

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AP4506GEH-HF

AP4506GEHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 24m Fast Switching Performance ID 9AS1G1S2P-CH BVDSS -30VG2RDS(ON) 36mTO-252-4LDescription ID -8AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best

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AP4506GEH-HF

AP4506GEM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 N-CH BVDSS 30V Simple Drive Requirement D2D1 RDS(ON) 30m Low On-resistance D1 ID 6.4A Fast Switching Performance G2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VG1SO-8 S1RDS(ON

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AP4506GEH-HF

AP4506GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement D2 N-CH BVDSS 30VD2D1 Low On-resistance RDS(ON) 30mD1 Fast Switching Performance ID 6.4AG2S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -30VG1SO-8 S1RDS(ON) 40mDescription ID -6AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesi

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History: AONR66820 | AON7220 | 2N5523 | HFS12N65SA | 2SK1435 | AP15P15GM-HF | VSE009NE6MS-G

 

 
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