Справочник MOSFET. AP4506GEH-HF

 

AP4506GEH-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4506GEH-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9(8) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18(16) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100(220) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024(0.036) Ohm
   Тип корпуса: TO252-4L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4506GEH-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  ape
 ap4506geh-hf.pdf pdf_icon

AP4506GEH-HF

AP4506GEH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 24m Fast Switching Performance ID 9AS1G1S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -30VG2RDS(ON) 36mTO-252-4LDescription ID -8AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thede

 5.1. Size:119K  ape
 ap4506geh.pdf pdf_icon

AP4506GEH-HF

AP4506GEHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 24m Fast Switching Performance ID 9AS1G1S2P-CH BVDSS -30VG2RDS(ON) 36mTO-252-4LDescription ID -8AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best

 6.1. Size:197K  ape
 ap4506gem.pdf pdf_icon

AP4506GEH-HF

AP4506GEM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 N-CH BVDSS 30V Simple Drive Requirement D2D1 RDS(ON) 30m Low On-resistance D1 ID 6.4A Fast Switching Performance G2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VG1SO-8 S1RDS(ON

 6.2. Size:117K  ape
 ap4506gem-hf.pdf pdf_icon

AP4506GEH-HF

AP4506GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement D2 N-CH BVDSS 30VD2D1 Low On-resistance RDS(ON) 30mD1 Fast Switching Performance ID 6.4AG2S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -30VG1SO-8 S1RDS(ON) 40mDescription ID -6AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRFR4105Z | SL5N100P | FS16SM-9 | TSM4N80CZ | 2SK1032A | IRFS640B | JFFM13N65D

 

 
Back to Top

 


 
.