Справочник MOSFET. AP4506GEH-HF

 

AP4506GEH-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4506GEH-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9(8) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18(16) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100(220) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024(0.036) Ohm
   Тип корпуса: TO252-4L
 

 Аналог (замена) для AP4506GEH-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4506GEH-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  ape
ap4506geh-hf.pdfpdf_icon

AP4506GEH-HF

AP4506GEH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 24m Fast Switching Performance ID 9AS1G1S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -30VG2RDS(ON) 36mTO-252-4LDescription ID -8AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thede

 5.1. Size:119K  ape
ap4506geh.pdfpdf_icon

AP4506GEH-HF

AP4506GEHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 24m Fast Switching Performance ID 9AS1G1S2P-CH BVDSS -30VG2RDS(ON) 36mTO-252-4LDescription ID -8AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best

 6.1. Size:197K  ape
ap4506gem.pdfpdf_icon

AP4506GEH-HF

AP4506GEM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 N-CH BVDSS 30V Simple Drive Requirement D2D1 RDS(ON) 30m Low On-resistance D1 ID 6.4A Fast Switching Performance G2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VG1SO-8 S1RDS(ON

 6.2. Size:117K  ape
ap4506gem-hf.pdfpdf_icon

AP4506GEH-HF

AP4506GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement D2 N-CH BVDSS 30VD2D1 Low On-resistance RDS(ON) 30mD1 Fast Switching Performance ID 6.4AG2S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -30VG1SO-8 S1RDS(ON) 40mDescription ID -6AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesi

Другие MOSFET... AP4502AGM-HF , AP4502GM , AP4503AGEM-HF , AP4503AGM-HF , AP4503BGM-HF , AP4503BGO-HF , AP4503GM , AP4506GEH , 8N60 , AP4506GEM-HF , AP4509AGH-HF , AP4509AGM-HF , AP4509GM-HF , AP4511GD , AP4511GED-HF , AP4511GH , AP4511GH-A .

History: 2SK1153 | TK40F08K3 | HY75N075T

 

 
Back to Top

 


 
.