AP4509GM-HF Todos los transistores

 

AP4509GM-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4509GM-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10(8.4) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10(11) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430(540) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014(0.02) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP4509GM-HF Datasheet (PDF)

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AP4509GM-HF

AP4509GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 14mD1D1 Fast Switching Performance ID 10AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VG1S1SO-8RDS(ON) 20mDescription ID -8.4AAdvanced Power MOSFETs from APEC p

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AP4509GM-HF

AP4509GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 14mD1D1 Fast Switching Performance ID 10AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VG1S1SO-8RDS(ON) 2

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AP4509GM-HF

AP4509AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 10mD1 Fast Switching Performance ID 11.2AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VG1S1SO-8RDS(ON) 21mDescription ID -8AAdvanced Power MOSFETs from APEC pro

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AP4509GM-HF

AP4509AGH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 10m Fast Switching Performance ID 14AS1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VG1S2RDS(ON) 23mG2Description ID -9.5ATO-252-4LAdvanced Power MOSFETs from AP

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History: LSB55R050GT | HM10P10D | FDU6688 | UPA1950

 

 
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