AP4509GM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP4509GM-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10(8.4) A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
trⓘ - Время нарастания: 10(11) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 430(540) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014(0.02) Ohm
Тип корпуса: SO8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP4509GM-HF Datasheet (PDF)
ap4509gm-hf.pdf

AP4509GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 14mD1D1 Fast Switching Performance ID 10AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VG1S1SO-8RDS(ON) 20mDescription ID -8.4AAdvanced Power MOSFETs from APEC p
ap4509gm.pdf

AP4509GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 14mD1D1 Fast Switching Performance ID 10AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VG1S1SO-8RDS(ON) 2
ap4509agm-hf.pdf

AP4509AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 10mD1 Fast Switching Performance ID 11.2AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VG1S1SO-8RDS(ON) 21mDescription ID -8AAdvanced Power MOSFETs from APEC pro
ap4509agh-hf.pdf

AP4509AGH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 10m Fast Switching Performance ID 14AS1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VG1S2RDS(ON) 23mG2Description ID -9.5ATO-252-4LAdvanced Power MOSFETs from AP
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: FQPF17P06
History: FQPF17P06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHS022N06E | DHS022N06 | DHS021N04P | DHS021N04E | DHS021N04D | DHS021N04B | DHS021N04 | DHS020N88U | DHS020N88I | DHS020N88E | DHS020N88 | DHS020N04P | DHS020N04I | DHS020N04F | DHS020N04E | DHS020N04D
Popular searches
irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943