AP4511GD Todos los transistores

 

AP4511GD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4511GD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7(6.1) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7(6) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150(165) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025(0.04) Ohm
   Paquete / Cubierta: PDIP8
 

 Búsqueda de reemplazo de AP4511GD MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP4511GD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  ape
ap4511gd.pdf pdf_icon

AP4511GD

AP4511GDRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 35VD2D1D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 25m PDIP-8 Package ID 7AG2P-CH BVDSS -35VS2PDIP-8G1S1RDS(ON) 40mDescription ID -6.1AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fa

 7.1. Size:201K  ape
ap4511gm.pdf pdf_icon

AP4511GD

AP4511GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET N-CH BVDSS 35V Simple Drive Requirement D2D2 RDS(ON) 25m Low On-resistance D1 D1 ID 7A Fast Switching Performance G2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35VG1S1SO-8RDS(ON)

 7.2. Size:85K  ape
ap4511gm-hf.pdf pdf_icon

AP4511GD

AP4511GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 25mD1D1 Fast Switching Performance ID 7AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35VG1S1SO-8RDS(ON) 40mDescription ID -6.1AAdvanced Power MOSFETs from APEC pr

 7.3. Size:195K  ape
ap4511gh.pdf pdf_icon

AP4511GD

AP4511GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 15AS1G1P-CH BVDSS -35VS2G2RDS(ON) 48mTO-252-4LDescription ID -12AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD1D2designer with

Otros transistores... AP4503BGO-HF , AP4503GM , AP4506GEH , AP4506GEH-HF , AP4506GEM-HF , AP4509AGH-HF , AP4509AGM-HF , AP4509GM-HF , 2N7002 , AP4511GED-HF , AP4511GH , AP4511GH-A , AP4511GM-HF , AP4513GD , AP4513GH , AP4513GH-A , AP4513GM-HF .

History: TSM55N03CP | IPP60R165CP

 

 
Back to Top

 


 
.