AP4511GD. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP4511GD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7(6.1) A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7(6) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150(165) pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025(0.04) Ohm
Тип корпуса: PDIP8
Аналог (замена) для AP4511GD
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP4511GD даташит
ap4511gd.pdf
AP4511GD RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 35V D2 D1 D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 25m PDIP-8 Package ID 7A G2 P-CH BVDSS -35V S2 PDIP-8 G1 S1 RDS(ON) 40m Description ID -6.1A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa
ap4511gm.pdf
AP4511GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET N-CH BVDSS 35V Simple Drive Requirement D2 D2 RDS(ON) 25m Low On-resistance D1 D1 ID 7A Fast Switching Performance G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35V G1 S1 SO-8 RDS(ON)
ap4511gm-hf.pdf
AP4511GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 25m D1 D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 40m Description ID -6.1A Advanced Power MOSFETs from APEC pr
ap4511gh.pdf
AP4511GH RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 15A S1 G1 P-CH BVDSS -35V S2 G2 RDS(ON) 48m TO-252-4L Description ID -12A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D1 D2 designer with
Другие MOSFET... AP4503BGO-HF , AP4503GM , AP4506GEH , AP4506GEH-HF , AP4506GEM-HF , AP4509AGH-HF , AP4509AGM-HF , AP4509GM-HF , MMIS60R580P , AP4511GED-HF , AP4511GH , AP4511GH-A , AP4511GM-HF , AP4513GD , AP4513GH , AP4513GH-A , AP4513GM-HF .
History: SPB80N06S2-05 | RFM4N40 | 30N06L-TF2-T | 3N70L-TN3-R | WMM120P06TS | 9N90L-T3P
History: SPB80N06S2-05 | RFM4N40 | 30N06L-TF2-T | 3N70L-TN3-R | WMM120P06TS | 9N90L-T3P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet








