AP4511GD - описание и поиск аналогов

 

AP4511GD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4511GD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7(6.1) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7(6) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150(165) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025(0.04) Ohm

Тип корпуса: PDIP8

Аналог (замена) для AP4511GD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4511GD даташит

 ..1. Size:156K  ape
ap4511gd.pdfpdf_icon

AP4511GD

AP4511GD RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 35V D2 D1 D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 25m PDIP-8 Package ID 7A G2 P-CH BVDSS -35V S2 PDIP-8 G1 S1 RDS(ON) 40m Description ID -6.1A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

 7.1. Size:201K  ape
ap4511gm.pdfpdf_icon

AP4511GD

AP4511GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET N-CH BVDSS 35V Simple Drive Requirement D2 D2 RDS(ON) 25m Low On-resistance D1 D1 ID 7A Fast Switching Performance G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35V G1 S1 SO-8 RDS(ON)

 7.2. Size:85K  ape
ap4511gm-hf.pdfpdf_icon

AP4511GD

AP4511GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 25m D1 D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 40m Description ID -6.1A Advanced Power MOSFETs from APEC pr

 7.3. Size:195K  ape
ap4511gh.pdfpdf_icon

AP4511GD

AP4511GH RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 15A S1 G1 P-CH BVDSS -35V S2 G2 RDS(ON) 48m TO-252-4L Description ID -12A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D1 D2 designer with

Другие MOSFET... AP4503BGO-HF , AP4503GM , AP4506GEH , AP4506GEH-HF , AP4506GEM-HF , AP4509AGH-HF , AP4509AGM-HF , AP4509GM-HF , MMIS60R580P , AP4511GED-HF , AP4511GH , AP4511GH-A , AP4511GM-HF , AP4513GD , AP4513GH , AP4513GH-A , AP4513GM-HF .

History: SPB80N06S2-05 | RFM4N40 | 30N06L-TF2-T | 3N70L-TN3-R | WMM120P06TS | 9N90L-T3P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.