Справочник MOSFET. AP4511GD

 

AP4511GD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4511GD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7(6.1) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7(6) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150(165) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025(0.04) Ohm
   Тип корпуса: PDIP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4511GD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  ape
ap4511gd.pdfpdf_icon

AP4511GD

AP4511GDRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 35VD2D1D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 25m PDIP-8 Package ID 7AG2P-CH BVDSS -35VS2PDIP-8G1S1RDS(ON) 40mDescription ID -6.1AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fa

 7.1. Size:201K  ape
ap4511gm.pdfpdf_icon

AP4511GD

AP4511GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET N-CH BVDSS 35V Simple Drive Requirement D2D2 RDS(ON) 25m Low On-resistance D1 D1 ID 7A Fast Switching Performance G2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35VG1S1SO-8RDS(ON)

 7.2. Size:85K  ape
ap4511gm-hf.pdfpdf_icon

AP4511GD

AP4511GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 25mD1D1 Fast Switching Performance ID 7AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35VG1S1SO-8RDS(ON) 40mDescription ID -6.1AAdvanced Power MOSFETs from APEC pr

 7.3. Size:195K  ape
ap4511gh.pdfpdf_icon

AP4511GD

AP4511GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 15AS1G1P-CH BVDSS -35VS2G2RDS(ON) 48mTO-252-4LDescription ID -12AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD1D2designer with

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FQPF13N50 | FQPF17N08L | SSM9928GEO | AP4503BGM-HF | AON6312

 

 
Back to Top

 


 
.