AP4539GM-HF Todos los transistores

 

AP4539GM-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4539GM-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.4(7.5) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20(26) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180(320) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115(0.023) Ohm

Encapsulados: SO8

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AP4539GM-HF datasheet

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AP4539GM-HF

AP4539GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 20V D2 D2 Lower Gate Charge RDS(ON) 11.5m D1 D1 Fast Switching Performance ID 10.4A G2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20V S2 G1 S1 SO-8 RDS(ON) 23m Description ID -7.5A AP4539 series are from Advance

 9.1. Size:118K  ape
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AP4539GM-HF

AP4533GEH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 18m Fast Switching Performance ID 10.5A S1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 S2 RDS(ON) 36m G2 Description ID -7.5A TO-252-4L Advanced Power MOSFETs from

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AP4539GM-HF

AP4532GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance D1 RDS(ON) 50m D1 Fast Switching Characteristic ID 5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 70m Description ID -4A Advanced Power MOSFETs from APEC pr

 9.3. Size:206K  ape
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AP4539GM-HF

AP4531GM RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D2 D2 Fast Switching Performance RDS(ON) 36m D1 D1 Lower Gate Charge ID 5.8A G2 S2 P-CH BVDSS -40V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 90m Description ID -3.6A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best

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History: WML26N65C4

 

 

 

 

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