AP4539GM-HF Todos los transistores

 

AP4539GM-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4539GM-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.4(7.5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20(26) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180(320) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115(0.023) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP4539GM-HF Datasheet (PDF)

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AP4539GM-HF

AP4539GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 20VD2D2 Lower Gate Charge RDS(ON) 11.5mD1D1 Fast Switching Performance ID 10.4AG2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VS2G1S1SO-8RDS(ON) 23mDescription ID -7.5AAP4539 series are from Advance

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AP4539GM-HF

AP4533GEH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 18m Fast Switching Performance ID 10.5AS1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VG1S2RDS(ON) 36mG2Description ID -7.5ATO-252-4LAdvanced Power MOSFETs from

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AP4539GM-HF

AP4532GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance D1 RDS(ON) 50mD1 Fast Switching Characteristic ID 5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VG1S1SO-8RDS(ON) 70mDescription ID -4AAdvanced Power MOSFETs from APEC pr

 9.3. Size:206K  ape
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AP4539GM-HF

AP4531GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD2D2 Fast Switching Performance RDS(ON) 36mD1D1 Lower Gate Charge ID 5.8AG2S2P-CH BVDSS -40VG1S1SO-8RDS(ON) 90mDescription ID -3.6AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best

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History: LNND04R120

 

 
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