AP4539GM-HF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP4539GM-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.4(7.5) A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 20(26) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180(320) pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115(0.023) Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP4539GM-HF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP4539GM-HF даташит
ap4539gm-hf.pdf
AP4539GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 20V D2 D2 Lower Gate Charge RDS(ON) 11.5m D1 D1 Fast Switching Performance ID 10.4A G2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20V S2 G1 S1 SO-8 RDS(ON) 23m Description ID -7.5A AP4539 series are from Advance
ap4533geh-hf ape4533geh-hf.pdf
AP4533GEH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 18m Fast Switching Performance ID 10.5A S1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 S2 RDS(ON) 36m G2 Description ID -7.5A TO-252-4L Advanced Power MOSFETs from
ap4532gm-hf.pdf
AP4532GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance D1 RDS(ON) 50m D1 Fast Switching Characteristic ID 5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 70m Description ID -4A Advanced Power MOSFETs from APEC pr
ap4531gm.pdf
AP4531GM RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D2 D2 Fast Switching Performance RDS(ON) 36m D1 D1 Lower Gate Charge ID 5.8A G2 S2 P-CH BVDSS -40V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 90m Description ID -3.6A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best
Другие MOSFET... AP4529GH , AP4530GH , AP4530GM , AP4531GH , AP4531GM , AP4532GM-HF , AP4533GEM-HF , AP4537GYT-HF , IRLB4132 , AP4543GEH-HF , AP4543GEM-HF , AP4543GMT-HF , AP4563AGH-HF , AP4563GH-HF , AP4563GM , AP4569GD , 2SK56 .
History: 2SK321
History: 2SK321
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06











