AP4569GD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP4569GD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8(3.8) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70(80) pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052(0.09) Ohm
Encapsulados: PDIP8
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AP4569GD datasheet
ap4569gd.pdf
AP4569GD Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 40V D2 D1 D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 52m PDIP-8 Package ID 4.8A G2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40V S2 PDIP-8 G1 RDS(ON) 90m S1 Description ID -3.8A The
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ap4563gh.pdf
AP4563GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 8A S1 G1 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40V G2 RDS(ON) 36m TO-252-4L Description ID -7.3A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the de
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History: APM2558NU | 20N06L-TO252 | NTD4965N | WMM28N60F2 | LP4411ET1G | WMJ30N80M3 | APM9988QB
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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