2SK56 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK56
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 10 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 2.5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1000 Ohm
Encapsulados: TO92
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2SK56 datasheet
2sk560.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK560 DESCRIPTION Drain Current I =15A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies
Otros transistores... AP4539GM-HF , AP4543GEH-HF , AP4543GEM-HF , AP4543GMT-HF , AP4563AGH-HF , AP4563GH-HF , AP4563GM , AP4569GD , 13N50 , 2SK559 , 2SK560 , 2SK578 , 2SK579L , 2SK580L , 2SK579S , 2SK580S , 2SK583 .
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Liste
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