2SK56 Todos los transistores

 

2SK56 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK56

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 10 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 2.5 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1000 Ohm

Encapsulados: TO92

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2SK56 datasheet

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2SK56

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2SK56

"MG8G4EM1" "MG8G4EM1" "MG8G4EM1" "MG8G4EM1" "MG8G4EM1" "MG8G4EM1"

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2SK56

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2SK56

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK560 DESCRIPTION Drain Current I =15A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies

Otros transistores... AP4539GM-HF , AP4543GEH-HF , AP4543GEM-HF , AP4543GMT-HF , AP4563AGH-HF , AP4563GH-HF , AP4563GM , AP4569GD , 13N50 , 2SK559 , 2SK560 , 2SK578 , 2SK579L , 2SK580L , 2SK579S , 2SK580S , 2SK583 .

 

 

 


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MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E

 

 

 

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