2SK56 Todos los transistores

 

2SK56 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK56
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 10 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1000 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2SK56 Datasheet (PDF)

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"MG8G4EM1""MG8G4EM1""MG8G4EM1""MG8G4EM1""MG8G4EM1""MG8G4EM1"

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2SK56

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK560DESCRIPTIONDrain Current I =15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies

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History: NCEP023N85M

 

 
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