2SK559 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK559
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de 2SK559 MOSFET
2SK559 Datasheet (PDF)
2sk559.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK559DESCRIPTIONDrain Current I =15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies
Otros transistores... AP4543GEH-HF , AP4543GEM-HF , AP4543GMT-HF , AP4563AGH-HF , AP4563GH-HF , AP4563GM , AP4569GD , 2SK56 , 5N60 , 2SK560 , 2SK578 , 2SK579L , 2SK580L , 2SK579S , 2SK580S , 2SK583 , 2SK620 .
History: IRFP064 | WMJ12N105C2 | AON6426 | ZXMN3B04N8TC | FCB20N60TM | SD2933W | BUK6209-30C
History: IRFP064 | WMJ12N105C2 | AON6426 | ZXMN3B04N8TC | FCB20N60TM | SD2933W | BUK6209-30C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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