2SK559 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK559
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Encapsulados: TO3P
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2SK559 datasheet
2sk559.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK559 DESCRIPTION Drain Current I =15A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =450V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies
Otros transistores... AP4543GEH-HF , AP4543GEM-HF , AP4543GMT-HF , AP4563AGH-HF , AP4563GH-HF , AP4563GM , AP4569GD , 2SK56 , AON7410 , 2SK560 , 2SK578 , 2SK579L , 2SK580L , 2SK579S , 2SK580S , 2SK583 , 2SK620 .
History: AOB2144L | SM1A11NSK | WMN28N65F2
History: AOB2144L | SM1A11NSK | WMN28N65F2
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Liste
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