AP4810GSM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP4810GSM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP4810GSM

AP4810GSM Datasheet (PDF)

..1. Size:105K ape
ap4810gsm.pdf

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ap4816gsm.pdf

AP4816GSMRoHS-compliant ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITHElectronics Corp. SCHOTTKY DIODES1/D2 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30VS1/D2S1/D2 DC-DC Converter Suitable RDS(ON) 22mD1 Fast Switching Performance ID 6.7AG2CH-2 BVDSS 30VS2/AS2/ASO-8RDS(ON) 13mG1Description ID 11.5AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the des

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AP4813GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKYElectronics Corp. DIODED Simple Drive Requirement BVDSS 30V Good Recovery Time RDS(ON) 10mSchottky Diode Small Size & Lower Profile ID 15AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fas

9.3. Size:102K ape
ap4813gsm-hf.pdf

AP4813GSM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKYElectronics Corp. DIODE Simple Drive Requirement BVDSS 30VDDD Good Recovery Time RDS(ON) 9mD Fast Switching Performance ID 13AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSO-8SDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the Schottky DiodeGdesigner with the best comb

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Liste

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