AP4880BGM-HF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4880BGM-HF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP4880BGM-HF datasheet

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AP4880BGM-HF

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 8.1. Size:126K  ape
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AP4880BGM-HF

AP4880GEM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 25V D D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 8.5m D D Low On-resistance ID 14A G RoHS Compliant S S S SO-8 Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast swit

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AP4880BGM-HF

AP4880GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 25V D D Fast Switching D RDS(ON) 8.5m D Simple Drive Requirement ID 13A G S S SO-8 S Description D D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination o

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