AP4920GM-HF Todos los transistores

 

AP4920GM-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4920GM-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP4920GM-HF datasheet

 ..1. Size:103K  ape
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AP4920GM-HF

AP4920GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 25V D2 D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 25m D1 Fast Switching ID 7A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast s

 9.1. Size:102K  ape
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AP4920GM-HF

AP4924GM RoHS-compliant Product Advanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 20V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 35m D1 D1 Fast Switching ID 6A G2 S2 G1 SO-8 S1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G2 ruggedized devic

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History: 2SK1685 | IRF623FI | RU206B | GPT09N50D | STF23N80K5 | SL120N03R | CS3N50B4

 

 

 

 

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