AP4920GM-HF Todos los transistores

 

AP4920GM-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4920GM-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP4920GM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  ape
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AP4920GM-HF

AP4920GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 25VD2D2D1 Low On-resistance RDS(ON) 25mD1 Fast Switching ID 7AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8S1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast s

 9.1. Size:102K  ape
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AP4920GM-HF

AP4924GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 20VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 35mD1D1 Fast Switching ID 6AG2S2G1SO-8S1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,G2ruggedized devic

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History: IRFP449 | AP3N1R7MT | IRF820PBF | LND10R040W3 | IPA50R800CE | VBZL150N03 | HM2301DR

 

 
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