AP4933GM-HF Todos los transistores

 

AP4933GM-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4933GM-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP4933GM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  ape
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AP4933GM-HF

AP4933GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD2D2 Low Gate Charge RDS(ON) 90mD1D1 Fast Switching Characteristic ID -3.8AG2 RoHS Compliant & Halogen-FreeS2G1S1SO-8DescriptionAP4933 series are from Advanced Power innovated design andD2D1silicon

 9.1. Size:80K  ape
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AP4933GM-HF

AP4936GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow Gate Charge BVDSS 25V D2D2D1Simple Drive Requirement RDS(ON) 37m D1Fast Switching ID 5.8A G2S2 RoHS CompliantG1SO-8S1DescriptionD2D1The Advanced Power MOSFETs from APEC provi

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History: AON2407 | SVS65R240DD4TR | SFF250MDB | FKBB3002 | BL3N100-A | STD50NH02LT4 | FP20W50VX2

 

 
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