AP4936GM Todos los transistores

 

AP4936GM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4936GM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP4936GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  ape
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AP4936GM

AP4936GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow Gate Charge BVDSS 25V D2D2D1Simple Drive Requirement RDS(ON) 37m D1Fast Switching ID 5.8A G2S2 RoHS CompliantG1SO-8S1DescriptionD2D1The Advanced Power MOSFETs from APEC provi

 9.1. Size:96K  ape
 ap4933gm-hf.pdf pdf_icon

AP4936GM

AP4933GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD2D2 Low Gate Charge RDS(ON) 90mD1D1 Fast Switching Characteristic ID -3.8AG2 RoHS Compliant & Halogen-FreeS2G1S1SO-8DescriptionAP4933 series are from Advanced Power innovated design andD2D1silicon

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History: HTD1K5N10 | QM3014M6

 

 
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