AP4936GM Todos los transistores

 

AP4936GM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4936GM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP4936GM datasheet

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AP4936GM

AP4936GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 25V D2 D2 D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 37m D1 Fast Switching ID 5.8A G2 S2 RoHS Compliant G1 SO-8 S1 Description D2 D1 The Advanced Power MOSFETs from APEC provi

 9.1. Size:96K  ape
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AP4936GM

AP4933GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D2 D2 Low Gate Charge RDS(ON) 90m D1 D1 Fast Switching Characteristic ID -3.8A G2 RoHS Compliant & Halogen-Free S2 G1 S1 SO-8 Description AP4933 series are from Advanced Power innovated design and D2 D1 silicon

Otros transistores... 2SK3683-01MR , 2SK4075 , 2SK659 , AP4880BGM-HF , AP4880GM , AP4920GM-HF , AP4924GM , AP4933GM-HF , EMB04N03H , AP4951GM , AP4951GM-HF , AP4953GM-HF , AP4955GM , AP4957AGM , AP4957GM , AP4959GM , AP4961GM .

History: NCE4606 | 2SK351 | 2N6659X | 2SK3363-01 | RD3P200SNFRA | AGM405A

 

 

 

 

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