AP4936GM - описание и поиск аналогов

 

AP4936GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4936GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4936GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4936GM даташит

 ..1. Size:80K  ape
 ap4936gm.pdf pdf_icon

AP4936GM

AP4936GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 25V D2 D2 D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 37m D1 Fast Switching ID 5.8A G2 S2 RoHS Compliant G1 SO-8 S1 Description D2 D1 The Advanced Power MOSFETs from APEC provi

 9.1. Size:96K  ape
 ap4933gm-hf.pdf pdf_icon

AP4936GM

AP4933GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D2 D2 Low Gate Charge RDS(ON) 90m D1 D1 Fast Switching Characteristic ID -3.8A G2 RoHS Compliant & Halogen-Free S2 G1 S1 SO-8 Description AP4933 series are from Advanced Power innovated design and D2 D1 silicon

Другие MOSFET... 2SK3683-01MR , 2SK4075 , 2SK659 , AP4880BGM-HF , AP4880GM , AP4920GM-HF , AP4924GM , AP4933GM-HF , EMB04N03H , AP4951GM , AP4951GM-HF , AP4953GM-HF , AP4955GM , AP4957AGM , AP4957GM , AP4959GM , AP4961GM .

History: SM6106PSK | 2SK3298 | WMPN40N50D1 | IRFB4610

 

 

 

 

↑ Back to Top
.