AP4936GM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP4936GM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 17.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
Тип корпуса: SO8
AP4936GM Datasheet (PDF)
ap4936gm.pdf
AP4936GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow Gate Charge BVDSS 25V D2D2D1Simple Drive Requirement RDS(ON) 37m D1Fast Switching ID 5.8A G2S2 RoHS CompliantG1SO-8S1DescriptionD2D1The Advanced Power MOSFETs from APEC provi
ap4933gm-hf.pdf
AP4933GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD2D2 Low Gate Charge RDS(ON) 90mD1D1 Fast Switching Characteristic ID -3.8AG2 RoHS Compliant & Halogen-FreeS2G1S1SO-8DescriptionAP4933 series are from Advanced Power innovated design andD2D1silicon
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918