AP4961GM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP4961GM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Encapsulados: SO9
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AP4961GM datasheet
ap4961gm.pdf
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ap4963gem.pdf
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History: LXP152ALT1G | 30P06 | 2SK3857CT | IRF3205LPBF
History: LXP152ALT1G | 30P06 | 2SK3857CT | IRF3205LPBF
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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