AP5321GM-HF Todos los transistores

 

AP5321GM-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP5321GM-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP5321GM-HF Datasheet (PDF)

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AP5321GM-HF

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AP5321GM-HF

AP5322GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 100VD2D2D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 250mD1 Fast Switching Characteristic ID 1.9AG2S2 Halogen Free & RoHS CompliantG1SO-8S1DescriptionD2D1AP5322 series are from Advanced Power innovated designand silico

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AP5321GM-HF

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History: FHP4N65E | IRFR9220 | BFC23 | PSMN2R2-40YSD | SIR496DP | FQP4N90C | AO4914

 

 
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