AP5321GM-HF Todos los transistores

 

AP5321GM-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP5321GM-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP5321GM-HF datasheet

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AP5321GM-HF

AP5321GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 150m Fast Switching Characteristic ID 2.5A Halogen Free & RoHS Compliant Product D2 D2 D1 Description D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G2 S2 designer with the best combination

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AP5321GM-HF

AP5322GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 100V D2 D2 D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 250m D1 Fast Switching Characteristic ID 1.9A G2 S2 Halogen Free & RoHS Compliant G1 SO-8 S1 Description D2 D1 AP5322 series are from Advanced Power innovated design and silico

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AP5321GM-HF

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History: D4NK50Z-TO252 | APQ02SN65AA

 

 

 

 

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