AP62T03GJ Todos los transistores

 

AP62T03GJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP62T03GJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de AP62T03GJ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP62T03GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  ape
 ap62t03gh j ap62t03gj.pdf pdf_icon

AP62T03GJ

AP62T03GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic G ID 54ASDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,STO-252(H)ruggedized device de

 6.1. Size:239K  ape
 ap62t03gh.pdf pdf_icon

AP62T03GJ

AP62T03GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic G ID 54AS RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionAP62T03 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowe

 8.1. Size:60K  ape
 ap62t02gj ap62t02gh.pdf pdf_icon

AP62T03GJ

AP62T02GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 48AGSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Gruggedized device design, low on-re

Otros transistores... AP60T03GP , AP60T03GS , AP60T06GJ-HF , AP60T06GP-HF , AP60T10GI-HF , AP60T10GP , AP60T10GS , AP62T03GH , AON7410 , AP6618GM-HF , AP6677GH , AP6679BGH-HF , AP6679BGI-HF , AP6679BGM-HF , AP6679BGP-HF , AP6679GH-HF , AP6679GI-HF .

History: AFN3466 | 2SK2819 | FQA28N50F | NCEP0260 | IPD25N06S2-40 | RUF020N02

 

 
Back to Top

 


 
.