AP6618GM-HF Todos los transistores

 

AP6618GM-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6618GM-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP6618GM-HF Datasheet (PDF)

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AP6618GM-HF

AP6618GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 30mD Surface Mount Package ID 7AGS Halogen Free & RoHS Compliant ProductSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

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History: RT1E040RP | P9B40HP2 | WM05DP01D | IPA045N10N3G | AOW292 | STFW12N120K5 | NTTFS4H05N

 

 
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