FRF9150R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FRF9150R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 620 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FRF9150R
FRF9150R Datasheet (PDF)
frf9150.pdf
FRF9150D, FRF9150R,FRF9150H23A, -100V, 0.140 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 23A, -100V, rDS(ON) = 0.140TO-254AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design ConceptsG Gamma - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)SD- Defined End Point Specs at 300K RAD (Si) and 1000K RAD (Si)- Performance Permits Limited
Otros transistores... FRF254D , FRF254H , FRF254R , FRF450D , FRF450H , FRF450R , FRF9150D , FRF9150H , 4N60 , FRF9250D , FRF9250H , FRF9250R , FRK150D , FRK150H , FRK150R , FRK160D , FRK160H .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918