2SK825 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK825

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Disipación total del dispositivo (Pd): 120 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 450 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

Tiempo de elevación (tr): 35 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 500 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-3P

2SK825 Datasheet (PDF)

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