2SK825 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SK825 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK825 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для 2SK825

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:144K nec
2sk825.pdf pdf_icon

9.1. Size:153K nec
2sk821.pdf pdf_icon

9.2. Size:57K nec
2sk824.pdf pdf_icon

9.3. Size:142K nec
2sk827.pdf pdf_icon