2SK882 Todos los transistores

 

2SK882 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK882
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Paquete / Cubierta: SC-70
 

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2SK882 Datasheet (PDF)

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2SK882

2SK882 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK882 FM Tuner, VHF RF Amplifier Applications Unit: mm Low reverse transfer capacitance: Crss = 0.025 pF (typ.) Low noise figure: NF = 1.7dB (typ.) High power gain: G = 28dB (typ.) ps Recommend operation voltage: 5~15 V Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating Unit

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2SK882

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2SK882

2SK880 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK880 Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications Unit: mm High |Yfs|: |Yfs| = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0 High breakdown voltage: VGDS = -50 V Low noise: NF = 1.0dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz, RG = 1 k High input impedance: IGSS = -1 nA (max) at VGS = -30 V

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2SK882

( DataSheet : www.DataSheet4U.com )www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

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History: OSG65R900AF | P4004ED | VSE003N04MSC-G | SSM6K06FU | LNND04R120 | 2N7002-G

 

 
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