2SK882. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK882

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

Тип корпуса: SC-70

Аналог (замена) для 2SK882

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK882 даташит

 ..1. Size:174K  toshiba
 2sk882.pdf pdf_icon

2SK882

2SK882 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK882 FM Tuner, VHF RF Amplifier Applications Unit mm Low reverse transfer capacitance Crss = 0.025 pF (typ.) Low noise figure NF = 1.7dB (typ.) High power gain G = 28dB (typ.) ps Recommend operation voltage 5 15 V Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit

 9.1. Size:60K  toshiba
 2sk889.pdf pdf_icon

2SK882

 9.2. Size:294K  toshiba
 2sk880.pdf pdf_icon

2SK882

2SK880 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK880 Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications Unit mm High Yfs Yfs = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0 High breakdown voltage VGDS = -50 V Low noise NF = 1.0dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz, RG = 1 k High input impedance IGSS = -1 nA (max) at VGS = -30 V

 9.3. Size:110K  toshiba
 2sk888.pdf pdf_icon

2SK882

( DataSheet www.DataSheet4U.com ) www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK817, 2SK821, 2SK823, 2SK824, 2SK825, 2SK827, 2SK829, 2SK881, EMB04N03H, 2SK941, 2SK951-MR, AP6902AGH-HF, AP6903GH-HF, AP6904GH-HF, AP6906GH-HF, AP6910GSM-HF, AP6920GMT-HF