AP6950GYT-HF Todos los transistores

 

AP6950GYT-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6950GYT-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9(2.2) W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20(12) V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3(11.8) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6(5) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70(120) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018(0.0105) Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK3X3
 

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AP6950GYT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  ape
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AP6950GYT-HF

AP6950GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 18mG1Converter Application ID 21AD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VRDS(ON) 10.5mG2Description ID 39AS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2the d

 7.1. Size:131K  ape
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AP6950GYT-HF

AP6950GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITHElectronics Corp. SCHOTTKY DIODED1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 16mG1Converter Application ID 21.6AD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VRDS(ON) 8.5mG2Description ID 42.4AS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2the d

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History: IRF1018ESLPBF | AP60WN2K3H | WM03DH34M3 | 2N7002TESGP | SL2304 | 2SK1382 | IXFL38N100Q2

 

 
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