AP6950GYT-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP6950GYT-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9(2.2) W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20(12) V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3(11.8) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6(5) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70(120) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018(0.0105) Ohm

Encapsulados: PMPAK3X3

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AP6950GYT-HF datasheet

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AP6950GYT-HF

AP6950GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 18m G1 Converter Application ID 21A D2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30V RDS(ON) 10.5m G2 Description ID 39A S2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide G2 the d

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AP6950GYT-HF

AP6950GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITH Electronics Corp. SCHOTTKY DIODE D1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 16m G1 Converter Application ID 21.6A D2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30V RDS(ON) 8.5m G2 Description ID 42.4A S2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide G2 the d

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