AP6950GYT-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6950GYT-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9(2.2) W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20(12) V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3(11.8) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6(5) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70(120) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(0.0105) Ohm

Тип корпуса: PMPAK3X3

Аналог (замена) для AP6950GYT-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6950GYT-HF даташит

 ..1. Size:128K  ape
 ap6950gyt-hf.pdf pdf_icon

AP6950GYT-HF

AP6950GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 18m G1 Converter Application ID 21A D2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30V RDS(ON) 10.5m G2 Description ID 39A S2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide G2 the d

 7.1. Size:131K  ape
 ap6950gmt-hf.pdf pdf_icon

AP6950GYT-HF

AP6950GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITH Electronics Corp. SCHOTTKY DIODE D1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 16m G1 Converter Application ID 21.6A D2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30V RDS(ON) 8.5m G2 Description ID 42.4A S2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide G2 the d

Другие IGBT... AP6922GMT-HF, AP6923GMT-HF, AP6924GEY, AP6925GY, AP6928GMT-HF, AP6930GMT-HF, AP6941GMT-HF, AP6942GMT-HF, IRFZ44, AP6970GN2-HF, AP6980GN2-HF, AP6982GM, AP6982GN2-HF, AP6983GN2-HF, AP70L02GH, AP70L02GJ, AP70L02GP