Справочник MOSFET. AP6950GYT-HF

 

AP6950GYT-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP6950GYT-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9(2.2) W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20(12) V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3(11.8) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6(5) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70(120) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(0.0105) Ohm
   Тип корпуса: PMPAK3X3

 Аналог (замена) для AP6950GYT-HF

 

 

AP6950GYT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  ape
 ap6950gyt-hf.pdf

AP6950GYT-HF AP6950GYT-HF

AP6950GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 18mG1Converter Application ID 21AD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VRDS(ON) 10.5mG2Description ID 39AS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2the d

 7.1. Size:131K  ape
 ap6950gmt-hf.pdf

AP6950GYT-HF AP6950GYT-HF

AP6950GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITHElectronics Corp. SCHOTTKY DIODED1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 16mG1Converter Application ID 21.6AD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VRDS(ON) 8.5mG2Description ID 42.4AS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2the d

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top