AP70L02GH Todos los transistores

 

AP70L02GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP70L02GH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP70L02GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:81K  ape
 ap70l02gh ap70l02gj.pdf pdf_icon

AP70L02GH

AP70L02GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow Gate Charge BVDSS 25V DSimple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching ID 66A GSDescriptionGDThe TO-252 package is universally preferred for all commercial-STO-252(H)industrial surface mount app

 6.1. Size:107K  ape
 ap70l02gp ap70l02gs.pdf pdf_icon

AP70L02GH

AP70L02GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 25VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching ID 66AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,S TO-263(S)ruggedized device design, low on-resista

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History: TPCP8102 | SSF11NS70UF | GP2302 | SI4368DY | SI8416DB | 8N65KG-TM3-T | SWK15N04V

 

 
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