AP70L02GH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP70L02GH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для AP70L02GH
AP70L02GH Datasheet (PDF)
ap70l02gh ap70l02gj.pdf
AP70L02GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow Gate Charge BVDSS 25V DSimple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching ID 66A GSDescriptionGDThe TO-252 package is universally preferred for all commercial-STO-252(H)industrial surface mount app
ap70l02gp ap70l02gs.pdf
AP70L02GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 25VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching ID 66AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,S TO-263(S)ruggedized device design, low on-resista
Другие MOSFET... AP6941GMT-HF , AP6942GMT-HF , AP6950GYT-HF , AP6970GN2-HF , AP6980GN2-HF , AP6982GM , AP6982GN2-HF , AP6983GN2-HF , IRFP260N , AP70L02GJ , AP70L02GP , AP70L02GS , AP70T03GH , AP70T03GI , AP70T03GJ-HF , AP70T03GP , AP70T03GS .
History: HMS4444A | IRL540N | CS4N90P
History: HMS4444A | IRL540N | CS4N90P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568



