AP70L02GH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP70L02GH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO-252
AP70L02GH Datasheet (PDF)
ap70l02gh ap70l02gj.pdf
AP70L02GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow Gate Charge BVDSS 25V DSimple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching ID 66A GSDescriptionGDThe TO-252 package is universally preferred for all commercial-STO-252(H)industrial surface mount app
ap70l02gp ap70l02gs.pdf
AP70L02GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 25VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching ID 66AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,S TO-263(S)ruggedized device design, low on-resista
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918