Справочник MOSFET. AP70L02GH

 

AP70L02GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP70L02GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AP70L02GH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP70L02GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:81K  ape
 ap70l02gh ap70l02gj.pdf pdf_icon

AP70L02GH

AP70L02GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow Gate Charge BVDSS 25V DSimple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching ID 66A GSDescriptionGDThe TO-252 package is universally preferred for all commercial-STO-252(H)industrial surface mount app

 6.1. Size:107K  ape
 ap70l02gp ap70l02gs.pdf pdf_icon

AP70L02GH

AP70L02GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 25VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching ID 66AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,S TO-263(S)ruggedized device design, low on-resista

Другие MOSFET... AP6941GMT-HF , AP6942GMT-HF , AP6950GYT-HF , AP6970GN2-HF , AP6980GN2-HF , AP6982GM , AP6982GN2-HF , AP6983GN2-HF , 10N60 , AP70L02GJ , AP70L02GP , AP70L02GS , AP70T03GH , AP70T03GI , AP70T03GJ-HF , AP70T03GP , AP70T03GS .

History: STB130NS04ZB-1

 

 
Back to Top

 


 
.