AP70L02GJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP70L02GJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO-251

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AP70L02GJ datasheet

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AP70L02GJ

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AP70L02GJ

AP70L02GS/P RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 25V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching ID 66A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching, S TO-263(S) ruggedized device design, low on-resista

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