FRK250H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FRK250H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 600 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO204AE

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FRK250H datasheet

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FRK250H

FRK250D, FRK250R, FRK250H 27A, 200V, 0.100 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 27A, 200V, RDS(on) = 0.100 TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

 8.2. Size:212K  inchange semiconductor
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FRK250H

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FRK250 DESCRIPTION 27A, 200V, RDS(on) = 0.1 Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS It is specially designed and processed to exhibit minimal characteristic changes to total dose and neutron exposures

 9.1. Size:48K  intersil
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FRK250H

FRK254D, FRK254R, FRK254H 20A, 250V, 0.170 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 20A, 250V, RDS(on) = 0.170 TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Otros transistores... FRF9250R, FRK150D, FRK150H, FRK150R, FRK160D, FRK160H, FRK160R, FRK250D, BS170, FRK250R, FRK254D, FRK254H, FRK254R, FRK260D, FRK260H, FRK260R, FRK264D