FRK254D Todos los transistores

 

FRK254D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FRK254D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 450 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204AE
 

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FRK254D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:48K  intersil
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FRK254D

FRK254D, FRK254R,FRK254H20A, 250V, 0.170 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 20A, 250V, RDS(on) = 0.170TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

 9.1. Size:48K  intersil
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FRK254D

FRK250D, FRK250R,FRK250H27A, 200V, 0.100 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 27A, 200V, RDS(on) = 0.100TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

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FRK254D

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FRK250DESCRIPTION27A, 200V, RDS(on) = 0.1Second Generation Rad Hard MOSFET ResultsFrom New Design ConceptsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSIt is specially designed and processed toexhibit minimal characteristic changes to total dose and neutronexposures

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History: IXTP1N120P | FCB290N80 | J107 | APT10M11JVR

 

 
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