AP9435GG-HF Todos los transistores

 

AP9435GG-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9435GG-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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AP9435GG-HF Datasheet (PDF)

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AP9435GG-HF

AP9435GG-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 50m Single Drive Requirement ID - 4.2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rugge

 6.1. Size:833K  cn vbsemi
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AP9435GG-HF

AP9435GGwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.050 at VGS = - 10 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.056 at VGS = - 4.5 V - 6.0APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchDS G G D SD P-Channel MOSFET ABS

 7.1. Size:169K  ape
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AP9435GG-HF

AP9435GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDDD Low Gate Charge RDS(ON) 50mD Fast Switching ID -5.3AGS RoHS CompliantSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized devic

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AP9435GG-HF

AP9435GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching ID - 20AGSDescriptionGDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to S TO-252(H)achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-

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