AP9435GG-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9435GG-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

Аналог (замена) для AP9435GG-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9435GG-HF даташит

 ..1. Size:57K  ape
 ap9435gg-hf.pdf pdf_icon

AP9435GG-HF

AP9435GG-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 50m Single Drive Requirement ID - 4.2A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge

 6.1. Size:833K  cn vbsemi
 ap9435gg.pdf pdf_icon

AP9435GG-HF

AP9435GG www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.050 at VGS = - 10 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.056 at VGS = - 4.5 V - 6.0 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch D S G G D S D P-Channel MOSFET ABS

 7.1. Size:169K  ape
 ap9435gm-hf.pdf pdf_icon

AP9435GG-HF

AP9435GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D D Low Gate Charge RDS(ON) 50m D Fast Switching ID -5.3A G S RoHS Compliant S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devic

 7.2. Size:98K  ape
 ap9435gh ap9435gj.pdf pdf_icon

AP9435GG-HF

AP9435GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching ID - 20A G S Description G D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to S TO-252(H) achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9420GM-HF, AP9424GYT-HF, AP9430AGYT-HF, AP9430GH-HF, AP9430GYT-HF, AP9431GH-HF, AP9432GYT-HF, AP9434GM-HF, AON6380, AP9435GH, AP9435GJ, AP9435GK-HF, AP9435GM-HF, AP9435GP, AP9440GYT-HF, AP9450GYT-HF, AP9451GG-HF