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AP9465BGJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9465BGJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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AP9465BGJ Datasheet (PDF)

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AP9465AGH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 32m Fast Switching Characteristic G ID 15ASDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSdesigner with the best combination of fast switching,TO-252(H)ruggedized device des

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AP9465BGJ

AP9465GEMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 40VDD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 25mDD Low On-resistance ID 7.8AGSS S SO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerGwith the best combination of fast switching,ruggedized device

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AP9467AGH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11.5m Fast Switching Characteristic ID 43AG Halogen Free & RoHS CompliantSDescriptionAP9467A series are from Advanced Power innovated design andGDsilicon process technology to achieve the

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