Справочник MOSFET. AP9465BGJ

 

AP9465BGJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9465BGJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9465BGJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  ape
ap9465bgh ap9465bgj.pdfpdf_icon

AP9465BGJ

AP9465BGH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 32m Fast Switching Characteristic G ID 20ASDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSdesigner with the best combination of fast switching,TO-252(H)ruggedized device des

 8.1. Size:97K  ape
ap9465agh ap9465agj.pdfpdf_icon

AP9465BGJ

AP9465AGH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 32m Fast Switching Characteristic G ID 15ASDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSdesigner with the best combination of fast switching,TO-252(H)ruggedized device des

 8.2. Size:238K  ape
ap9465gem.pdfpdf_icon

AP9465BGJ

AP9465GEMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 40VDD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 25mDD Low On-resistance ID 7.8AGSS S SO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerGwith the best combination of fast switching,ruggedized device

 9.1. Size:234K  ape
ap9467agh.pdfpdf_icon

AP9465BGJ

AP9467AGH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11.5m Fast Switching Characteristic ID 43AG Halogen Free & RoHS CompliantSDescriptionAP9467A series are from Advanced Power innovated design andGDsilicon process technology to achieve the

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NVD5C446N | 2SK1769 | NDT6N70 | IRF6729M | TPCP8001-H | IPD50R280CE | OSG70R900DTF

 

 
Back to Top

 


 
.