AP9468GJ Todos los transistores

 

AP9468GJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9468GJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 365 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP9468GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  ape
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AP9468GJ

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 0.1. Size:102K  ape
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AP9468GJ

AP9468GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m Fast Switching Characteristic G ID3 75AS RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionAP9468 series are from Advanced Power innovated design and siliconGDprocess technology to achieve the low

 7.1. Size:127K  ape
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AP9468GJ

AP9468GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m Fast Switching Characteristic ID 80AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rug

 7.2. Size:58K  ape
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AP9468GJ

AP9468GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 7mD Fast Switching Characteristic ID 14.6AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fa

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History: STP33N65M2 | STP55N06L | BUZ358 | RFL1N10L

 

 
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