AP9468GJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9468GJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для AP9468GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9468GJ даташит

 ..1. Size:246K  ape
ap9468gj.pdfpdf_icon

AP9468GJ

AP9468GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m Fast Switching Characteristic G ID 75A S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switching, TO-252(H) ruggedized device desig

 0.1. Size:102K  ape
ap9468gh-hf ap9468gj-hf.pdfpdf_icon

AP9468GJ

AP9468GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m Fast Switching Characteristic G ID3 75A S RoHS Compliant & Halogen-Free Description AP9468 series are from Advanced Power innovated design and silicon G D process technology to achieve the low

 7.1. Size:127K  ape
ap9468gp-hf.pdfpdf_icon

AP9468GJ

AP9468GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m Fast Switching Characteristic ID 80A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rug

 7.2. Size:58K  ape
ap9468gm-hf.pdfpdf_icon

AP9468GJ

AP9468GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m D Fast Switching Characteristic ID 14.6A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

Другие IGBT... AP9465BGJ, AP9465GEM, AP9466GH, AP9466GJ, AP9466GM, AP9466GS, AP9468GH-HF, AP9468GJ-HF, IRF2807, AP9468GM, AP9468GP-HF, AP9468GS-HF, AP9469GH, AP9469GJ, AP9469GM, AP9470GM-HF, AP9474GM