AP9487GM-HF Todos los transistores

 

AP9487GM-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9487GM-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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AP9487GM-HF Datasheet (PDF)

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AP9487GM-HF

AP9487GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 85mD Fast Switching Characteristic ID 4AGS RoHS Compliant & Halogen-Free SSO-8 SDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestcombination of fast s

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AP9487GM-HF

AP9487GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 85mD Fast Switching Characteristic ID 4AGS RoHS Compliant & Halogen-Free SSO-8 SDescriptionDAP9487 series are from Advan

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History: GSM3406AS | UT3N06G-TM3-T

 

 
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