AP9487GM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9487GM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9487GM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9487GM-HF даташит

 ..1. Size:59K  ape
 ap9487gm-hf.pdf pdf_icon

AP9487GM-HF

AP9487GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 85m D Fast Switching Characteristic ID 4A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S SO-8 S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast s

 6.1. Size:170K  ape
 ap9487gm.pdf pdf_icon

AP9487GM-HF

AP9487GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 85m D Fast Switching Characteristic ID 4A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S SO-8 S Description D AP9487 series are from Advan

Другие IGBT... AP9470GM-HF, AP9474GM, AP9475GM-HF, AP9476GM-HF, AP9477GK-HF, AP9477GM-HF, AP9478GM, AP9479GM-HF, IRLB3034, AP94T07GH-HF, AP94T07GJ-HF, AP94T07GMT-HF, AP94T07GP1-HF, AP94T07GP-HF, AP94T07GS-HF, AP9510GM, AP9560GH-HF