AP9565BGJ-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP9565BGJ-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm

Encapsulados: TO-251

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AP9565BGJ-HF datasheet

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AP9565BGJ-HF

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AP9565BGJ-HF

AP9565BGM-HF Preliminary Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 52m D Fast Switching Characteristic ID -5.5A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast swi

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AP9565BGJ-HF

AP9565BGH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 52m Fast Switching Characteristic ID -17A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the G D S best combination of fast switching

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AP9565BGJ-HF

AP9565GEM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 38m D RoHS Compliant ID -6.5A G S S S SO-8 D Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized de

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