AP9565BGJ-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9565BGJ-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для AP9565BGJ-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9565BGJ-HF даташит

 ..1. Size:96K  ape
 ap9565bgh-hf ap9565bgj-hf.pdf pdf_icon

AP9565BGJ-HF

AP9565BGH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 52m Fast Switching Characteristic ID -17A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the G D S best combination of fast switching,

 6.1. Size:73K  ape
 ap9565bgm-hf-pre.pdf pdf_icon

AP9565BGJ-HF

AP9565BGM-HF Preliminary Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 52m D Fast Switching Characteristic ID -5.5A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast swi

 6.2. Size:98K  ape
 ap9565bgh j-hf.pdf pdf_icon

AP9565BGJ-HF

AP9565BGH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 52m Fast Switching Characteristic ID -17A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the G D S best combination of fast switching

 8.1. Size:89K  ape
 ap9565gem.pdf pdf_icon

AP9565BGJ-HF

AP9565GEM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 38m D RoHS Compliant ID -6.5A G S S S SO-8 D Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized de

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK4057, 2SK3296, 2SK3296-S, 2SK3296-ZK, 2SK3296-ZJ, AP9565AGH, AP9565AGJ, AP9565BGH-HF, AON6414A, AP9565BGM-HF, AP9565GEH, AP9565GEJ, AP9565GEM, AP9566GH, AP9566GM, AP9567GH-HF, AP9567GJ-HF