AP9567GJ-HF Todos los transistores

 

AP9567GJ-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9567GJ-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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AP9567GJ-HF Datasheet (PDF)

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AP9567GJ-HF

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 7.2. Size:101K  ape
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AP9567GJ-HF

AP9567GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID -22AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGDThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialSTO-252(H)surface mount a

 7.3. Size:70K  ape
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AP9567GJ-HF

AP9567GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement BVDSS -40V DDLow On-resistance D RDS(ON) 50m DFast Switching Characteristic ID -6A GSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best c

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History: DMG2305UX | 100N10NF | HFP50N06A

 

 
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