AP9567GJ-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP9567GJ-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 34.7 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 22 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
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AP9567GJ-HF Datasheet (PDF)
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